发明名称 |
顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法 |
摘要 |
一种微细加工技术领域的顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法。本发明用不同种刻蚀气体顺次对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理,具体为:先是一次或者多次使用化学反应性气体,对碳纳米管薄膜进行反应离子辅助等离子体处理;然后使用物理作用性气体,对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理。本发明能在完全无序排布的碳纳米管薄膜的基础上,使碳纳米管在薄膜表面的露出高度、密度得到调制,经过处理后的碳纳米管薄膜的表面形貌,露出高度、密度均匀,有很好的垂直取向性。本发明可极大地优化薄膜表面质量,并完全兼容于各种基于微电子加工技术,适于加工实现阵列化设计和批量生产。 |
申请公布号 |
CN1321223C |
申请公布日期 |
2007.06.13 |
申请号 |
CN200610023239.6 |
申请日期 |
2006.01.12 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
侯中宇;蔡炳初;张亚非;徐东 |
分类号 |
C23C16/513(2006.01);C01B31/02(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/513(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1、一种顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法,其特征在于,用不同种刻蚀气体顺次对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理,具体为:先是一次或者多次使用化学反应性气体,即能够与碳纳米管发生化学反应的刻蚀气体,对碳纳米管薄膜进行反应离子辅助等离子体处理;然后使用物理作用性气体,即不能与碳纳米管发生反应而只能进行物理轰击的刻蚀气体,对碳纳米管薄膜进行等离子体表面处理。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |