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发明名称 DIELECTRIC INTERFACE FOR GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>A Group III-V Semiconductor device and method of fabrication is described. A high-k dielectric is interfaced to a confinement region by a chalcogenide region.</p>
申请公布号 WO2007064492(A1) 申请公布日期 2007.06.07
申请号 WO2006US44601 申请日期 2006.11.17
申请人 INTEL CORPORATION;BRASK, JUSTIN, K.;DATTA, SUMAN;DOCZY, MARK, L.;BLACKWELL, JAMES, M.;METZ, MATTHEW, V.;KAVALIEROS, JACK, T.;CHAU, ROBERT, S. 发明人 BRASK, JUSTIN, K.;DATTA, SUMAN;DOCZY, MARK, L.;BLACKWELL, JAMES, M.;METZ, MATTHEW, V.;KAVALIEROS, JACK, T.;CHAU, ROBERT, S.
分类号 H01L21/314;H01L21/28;H01L29/51 主分类号 H01L21/314
代理机构 代理人
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