| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 用于制造半导体器件的方法，第一半导体集成电路和第二半导体集成电路，其被设置在第一衬底之上使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻，通过多个转移操作被转移到另外的衬底。在形成在第一衬底之上的第一半导体集成电路和第二半导体集成电路被分别转移到另外的衬底(第四衬底和第五衬底)之后，这些电路被分成对应于每一个半导体集成电路的半导体器件。在第四衬底之上第一半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离，以及在第五衬底之上第二半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离。因此，可以获得第四衬底和第五衬底中的每一个的大的分割边限。 | ||
| 申请公布号 | CN1976010A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610163786.4 | 申请日期 | 2006.12.04 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 田村友子;青木智幸;鹤目卓也;大力浩二 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：形成多个第一半导体集成电路和多个第二半导体集成电路，其被设置在第一衬底之上，使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻；附着第二衬底以便覆盖第一半导体集成电路和第二半导体集成电路；使第一衬底和第二衬底彼此分开并且将第一半导体集成电路转移到第二衬底；附着第三衬底以便覆盖留在第一衬底之上的第二半导体集成电路；使第一衬底和第三衬底彼此分开并且将第二半导体集成电路转移到第三衬底；以及分割第二衬底以便将该多个第一半导体集成电路分成单独的块；以及分割第三衬底以便将该多个第二半导体集成电路分成单独的块。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||