| 发明名称 | 高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微波介质陶瓷及其制备方法，原料组分及摩尔百分比含量为，Ag<SUB>2</SUB>O40－60％、Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> 10－40％、Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> 10－40％，在此基础上，外加重量百分比含量为1.0－5.0％的Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或1.0－5.0％的Dy<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>。采用预合成前驱体的方法，经一次球磨、预烧、二次配料、二次球磨，制成Ag(Nb<SUB>1－x</SUB>Ta<SUB>x</SUB>)O<SUB>3</SUB>陶瓷原粉，最后在1130－1150℃烧结。本发明所提供的微波介质陶瓷具有烧结温度低，介电常数高(ε＞400)、介电损耗低(tgδ＜10×10<SUP>－4</SUP>)的优良性能，并且制备工艺简单、制备过程无污染。本发明用于制备高频介质器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1975939A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610129844.1 | 申请日期 | 2006.12.04 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 李玲霞;赵晶;郭锐;王洪茹 |
| 分类号 | H01B3/12(2006.01);H01G4/12(2006.01);C04B35/01(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 主分类号 | H01B3/12(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 曹玉平 |
| 主权项 | 1.一种高介电常数微波介质陶瓷，其特征在于，其原料组分及摩尔百分比含量为，Ag2O40-60％、Nb2O5 10-40％、Ta2O5 10-40％，在此基础上，外加重量百分比含量为1.0-5.0％的Gd2O3 或者1.0-5.0％的Dy2O3。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||