| 发明名称 | 芯片级硅穿孔散热结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片(1)，其特征在于：a.于倒装裸芯片(1)背面对芯片硅材料穿盲孔(5)至焊垫金属区，b.盲孔(5)表面及芯片背面覆有金属膜(2)层，c.覆有金属膜(2)层的倒装裸芯片(1)背面复有导热金属层(3)，该导热金属层(3)充填至盲孔(5)内。本实用新型改变传统间接散热方式，以倒装封装工艺，使裸芯片经硅穿孔后充填金属或导热胶等，使芯片直接散热。该直接散热方式芯片热量散发快，芯片性能稳定，使用寿命长。 | ||
| 申请公布号 | CN2909521Y | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200620073202.X | 申请日期 | 2006.05.26 |
| 申请人 | 江阴长电先进封装有限公司 | 发明人 | 王新潮;赖志明 |
| 分类号 | H01L23/36(2006.01) | 主分类号 | H01L23/36(2006.01) |
| 代理机构 | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人 | 唐纫兰 |
| 主权项 | 权利要求书1、一种芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片(1)，其特征在于：a、于倒装裸芯片(1)背面对芯片硅材料穿盲孔(5)至焊垫金属区，b、盲孔(5)表面及芯片背面覆有金属膜(2)层，c、覆有金属膜(2)层的倒装裸芯片(1)背面复有导热金属层(3)，该导热金属层(3)充填至盲孔(5)内。 | ||
| 地址 | 214431江苏省江阴市滨江中路275号 | ||