| 发明名称 | 半导体器件及半导体器件形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成其中内嵌了L形间隙壁的半导体器件的方法及该半导体器件。该方法包含在衬底的栅极区的每侧上界定L形间隙壁，以及将所述L形间隙壁嵌入氧化物层，使得所述氧化物层从所述L形间隙壁的横向边缘在所述衬底上延伸预定距离。并且除去氧化物层以暴露该L形间隙壁。 | ||
| 申请公布号 | CN1975990A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610160396.1 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;特许半导体制造有限公司 | 发明人 | 骆志炯;郑阳伟;阿图尔·C·阿吉梅拉 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的方法，包含：在衬底的栅极区的每侧上界定L形间隙壁；以及将所述L形间隙壁嵌入氧化物层中，使得所述氧化物层从所述L形间隙壁的横向边缘在所述衬底的部分上延伸预定距离。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||