| 发明名称 | 成膜方法以及成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供成膜方法以及成膜装置。将多枚晶片放置在设置于反应室内的基座(a susceptor)上；加热上述晶片；从多段设置在被设置为贯穿上述基座中心的气体供给喷嘴上的开口部供给处理气体；从上述多段设置的开口部中最上段的开口部，向斜下方供给上述处理气体；使来自开口部的上述处理气体的供给方向相对于上述反应室相对地变动。通过这样的结构，抑制淀积在反应室壁面上的淀积物的膜厚，能够使成膜装置的维护周期长周期化，提高生产能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1975986A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610163091.6 | 申请日期 | 2006.11.30 |
| 申请人 | 纽富来科技股份有限公司 | 发明人 | 古谷弘;西林道生;中泽诚一;三谷慎一 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/203(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/285(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23C16/455(2006.01);C23C14/00(2006.01);C30B25/00(2006.01);C30B25/14(2006.01);C30B23/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
| 主权项 | 1.一种成膜方法，其特征在于包含以下步骤：将多枚晶片放置在设置于反应室内的基座上；加热上述晶片；从多段设置在被设置为贯穿上述基座中心的气体供给喷嘴上的开口部，供给处理气体；从上述多段设置的开口部中最上段的开口部，向斜下方供给上述处理气体；使来自上述多段设置的开口部的上述处理气体的供给方向，相对于上述反应室相对地变动。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||