| 发明名称 | 可字节擦除非易失存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失半导体存储器，其包括半导体衬底上的第一导电类型的半导体阱区。该半导体阱区在其中具有第二导电类型的公共源极扩散区，该公共源极扩散区在半导体阱区内延伸且与半导体阱区形成P－N整流节。可字节擦除EERPOM存储器阵列提供在半导体阱区内。该可字节擦除EERPOM存储器阵列配置来支持第一和第二多个EEPROM存储器单元的独立擦除，第一和第二多个EEPROM存储器单元电连接到公共源极扩散区。 | ||
| 申请公布号 | CN1975932A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610101516.0 | 申请日期 | 2006.07.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜盛泽;田喜锡;韩晶昱;李昌勋;徐辅永;全昌愍;洪恩美 |
| 分类号 | G11C16/16(2006.01) | 主分类号 | G11C16/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种集成电路器件，包括：可字节擦除EERPOM存储器阵列，配置来支持第一和第二多个EEPROM存储器单元的独立擦除，所述第一和第二多个EEPROM存储器单元共享衬底中的第一半导体阱区，并且分别通过第一和第二字节选择晶体管电耦合到全局控制线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||