| 发明名称 | 具有凹陷浮动栅的闪速存储器器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种闪速存储器器件及其制造方法。所述闪速存储器器件包括：有源区，所述有源区具有多个表面区和形成得低于表面区的多个凹陷区；隧道氧化物层，所述隧道氧化物层形成于凹陷区之上；多个凹陷浮动栅，所述多个凹陷浮动栅形成于隧道氧化物层之上以埋置于凹陷区中；形成于凹陷浮动栅之上的多个电介质层；以及电介质层之上的多个控制栅。 | ||
| 申请公布号 | CN1976037A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610080799.5 | 申请日期 | 2006.05.16 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金宰弘 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种闪速存储器器件，包括：有源区，其具有多个表面区和形成得低于所述表面区的多个凹陷区；隧道氧化物层，其形成于所述凹陷区之上；多个凹陷浮动栅，其形成于所述隧道氧化物层之上并埋置于所述凹陷区中；多个电介质层，其形成于所述凹陷浮动栅之上；以及多个控制栅，其形成于所述电介质层之上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||