| 发明名称 | 像素结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种像素结构及其制造方法，该结构包括一基板、一栅极、一图案化介电层、一半导体层、一源极、一漏极与一反射像素电极。其中，栅极配置于基板上，而图案化介电层配置于基板上，并覆盖栅极。图案化介电层具有多个凸块与至少一开口，其中这些凸块配置于开口所暴露出的基板上，而半导体层配置于栅极上方的图案化介电层上。源极与漏极配置于半导体层上。反射像素电极配置于图案化介电层上，并覆盖凸块，且反射像素电极与漏极电性连接。因此，此种像素结构具有较佳的可靠度。 | ||
| 申请公布号 | CN1976046A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610162218.2 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 李奕纬;朱庆云;黄资峰 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;徐金国 |
| 主权项 | 1.一种像素结构，其特征在于，包括：一基板；一栅极，配置于该基板上；一第一图案化介电层，配置于该基板上，并覆盖该栅极，且该第一图案化介电层具有多数个凸块与至少一开口，该凸块配置于该开口所暴露出的该基板上；一半导体层，配置于该栅极上方的该第一图案化介电层上；一源极与一漏极，配置于该半导体层上；以及一反射像素电极，配置于该第一图案化介电层上，并覆盖该凸块，且该反射像素电极与该漏极电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||