减少泄漏功率和提高电路性能的电路配置和方法

摘要

本发明公开了减少泄漏功率和提高电路性能的电路配置(1)，包括三个电位，其中在第三电位(4)和第二电位或第一电位(3)之间配置二极管(2)以获得第三电位(4)的电位降，在第三电位(4)和第二电位之间或第三电位(4)和第一电位(3)之间配置与所述二极管(2)并联的开关(5)，以改变第三电位(4)相对于第一电位(3)或第二电位的电位降，其改变的大小为所述二极管(2)的电压降，其中所述开关(5)包括具有宽晶体管沟道的晶体管。进一步，本发明还公开了通过利用所述电路配置(1)减少泄漏功率和提高电路性能的方法。

主权项

1.一种减少泄漏功率和提高电路性能的电路配置(1，11，12，13，14，15，16)，包括第一电位(3，31，32，33)、第二电位(61，62，63)以及位于第一电位(3，31，32，33)和第二电位(61，62，63)之间的第三电位(4，41，42，43，44，45，46)，其中所述第三电位(4，41，42，43，44，45，46)相对于第一电位(3，31，32，33)或第二电位(61，62，63)具有可变电位降，其中将要提供可变输入电压的电路配置在所述第三电位(4，41，42，43，44，45，46)和所述第二电位(61，62，63)或第一电位(3，31，32，33)之间，其特征在于，在所述第三电位(4，41，42，43，44，45，46)和所述第二电位(61，62，63)之间或所述第三电位(4，41，42，43，44，45，46)和所述第一电位(3，31，32，33)之间配置二极管(2，21，22，23，24，25，26)，以获得第三电位(4，41，42，43，44，45，46)的所述电位降，其中在第三电位(4，41，42，43，44，45，46)和第二电位(61，62，63)之间或第三电位(4，41，42，43，44，45，46)和第一电位(3，31，32，33)之间配置与所述二极管并联的开关(5，51，52，53，54，55，56)，以改变第三电位(4，41，42，43，44，45，46)相对于第一电位(3，31，32，33)或第二电位(61，62，63)的电位降，其改变的大小为所述二极管(2，21，22，23，24，25，26)的电压降，其中所述开关(5，51，52，53，54，55，56)包括具有宽晶体管沟道的晶体管(5，51，52，53，54，55，56)。