发明名称 |
Verfahren zum Bilden von Mehrschicht-Bumps auf einem Substrat |
摘要 |
Ein Verfahren zum Ausbilden mehrschichtiger Höcker auf einem Substrat umfasst Aufbringen eines ersten Metallpulvers auf dem Substrat und selektives Schmelzen oder Wiederverflüssigen eines Bereichs des ersten Metallpulvers, um erste Höcker auszubilden. Ein zweites Metallpulver wird auf den ersten Höckern aufgebracht und geschmolzen, um zweite Höcker auf den ersten Höckern zu bilden. Eine Maskierungsplatte wird über dem Substrat angebracht, um diejenigen Bereiche der Metallpulver auszuwählen, die geschmolzen werden, und die Metallpulver werden mittels eines Bestrahlungsstrahls geschmolzen. Der mehrschichtige Höcker wird ohne die Notwendigkeit irgendwelcher Nasschemikalien ausgebildet. |
申请公布号 |
DE102006051151(A1) |
申请公布日期 |
2007.06.06 |
申请号 |
DE20061051151 |
申请日期 |
2006.10.30 |
申请人 |
FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. (N.D.GES.D. STAATES DELAWARE) |
发明人 |
SHIU, HEI MING;CHAU, ON LOK;LAI, GOR AMIE |
分类号 |
H01L21/60;H01L23/50 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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