| 发明名称 | 自对准紧凑双极型结式晶体管布局及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包括在衬底上形成拓扑结构的双极型结式晶体管(BJT)的形成工艺。接着，在拓扑结构处形成隔片。外延硅的基极层形成在隔片上方和拓扑结构处。通过从隔片的外扩散，在衬底中形成漏流阻挡结构。接着，完成具有基极层和隔片的BJT。 | ||
| 申请公布号 | CN1320613C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN02812851.6 | 申请日期 | 2002.12.10 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 马克·博尔;沙赫里亚尔·艾哈迈德;斯蒂芬·钱伯斯;理查德·格林;阿南德·默西 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 肖善强;吴湘文 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种方法，包括：在衬底上方的至少一层中形成拓扑结构；在所述拓扑结构处形成隔片；在所述拓扑结构和所述衬底的上方以及在所述隔片上形成外延基极层，其中所述外延基极层包括单晶部分、多晶部分和单晶—多晶界面；自所述隔片处，在所述衬底中形成漏流阻挡结构来阻挡单晶—多晶界面，从而阻止电流在所述单晶部分和多晶部分之间流动；以及在所述外延基极层的上方形成双极型结式晶体管(BJT)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||