| 发明名称 | 锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法，其组分和含量为LaMnO<SUB>3</SUB>基础上添加10－70mol％TiO<SUB>2</SUB>，同时添加0－60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制备步骤包括(1)配料，(2)造粒，(3)成型，(4)烧成，(5)电极制备。本发明克服了NTCR陶瓷材料室温电阻较大的缺点，提供了一种具有良好的导电性能和高温稳定性、实现了室温电阻率为182Ω.cm，而温度系数B值为3268K的锰酸镧为基的钙钛矿型NTCR半导体陶瓷。本发明在温度测量、抑制浪涌电流和温度补偿方面得到广泛应用。 | ||
| 申请公布号 | CN1974476A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610130271.4 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 马卫兵;孙凤云;孙清池 |
| 分类号 | C04B35/36(2006.01);C04B35/50(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 主分类号 | C04B35/36(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 曹玉平 |
| 主权项 | 1.一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷，其特征在于，其组分和含量为：在LaMnO3基础上掺杂10-70mol％TiO2及0-60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||