| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法和半导体晶片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体芯片；在暴露所述半导体芯片的端电极的至少一部分的情况下覆盖所述半导体芯片的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的第二绝缘层；以及将所述半导体芯片的端电极经由所述第二绝缘层引出到与外部电路相连接的位置的重配线层；其中单独在所述端电极的存在区域或在覆盖从所述存在区域到所述第一绝缘层之上的区域中提供与所述端电极相连接的用于电镀的底层，并且所述重配线层的至少一部分是由在所述底层上形成的电镀层形成的。 | ||
| 申请公布号 | CN1976015A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610161031.0 | 申请日期 | 2006.12.04 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 伊藤睦祯 |
| 分类号 | H01L23/482(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/482(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 董方源 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体芯片；在暴露所述半导体芯片的端电极的至少一部分的情况下覆盖所述半导体芯片的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的第二绝缘层；以及将所述半导体芯片的端电极经由所述第二绝缘层引出到与外部电路相连接的位置的重配线层；其中单独在所述端电极的存在区域或在覆盖从所述存在区域到所述第一绝缘层之上的区域提供与所述端电极相连接的用于电镀的底层，并且所述重配线层的至少一部分是由在所述底层上形成的电镀层形成的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||