| 发明名称 | 研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足1％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金属氧化物溶于具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位的研磨液。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，包括：准备具有半导体的基体的工序；在所述基体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在开口部内形成金属膜并覆盖该绝缘膜的工序；用研磨液对所述金属膜进行化学机械研磨的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1974129A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610167061.2 | 申请日期 | 1998.10.30 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 近藤诚一;本间喜夫;佐久间宪之;武田健一;日野出宪治 |
| 分类号 | B24B29/00(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 1、研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足1％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金属氧化物溶于具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位的研磨液。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||