| 发明名称 | CMOS电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，以及形成这样的CMOS电路的方法。更具体地说，本发明涉及包括如掩埋电阻器，电容器，二极管，电感器，衰减器，功率分配器和天线等的无源元件的CMOS电路，其具有小于90欧姆微米的最终接触电阻。可以通过将无源元件的隔离物宽度减小到从约10nm到约30nm的范围或者通过在预非晶注入步骤期间掩蔽无源元件以便无源元件基本上没有预非晶注入，获得这样的低最终电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1976034A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610139247.7 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | C·D·谢劳;A·C·波诺特;K·P·穆勒;W·劳施 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，包括：至少一个n型场效应晶体管(nFET)，位于半导体衬底上；至少一个p型场效应晶体管(pFET)，位于所述半导体衬底上并且与所述nFET邻近；以及至少一个无源元件，位于所述半导体衬底上并且与所述nFET和pFET邻近，其中所述至少一个无源元件具有小于90欧姆微米的最终电阻。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||