| 发明名称 | 一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体为一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。本发明不同于传统的薄膜生长过程，首先射频磁控溅射一层MgO缓冲层，然后直流磁控溅射一层TbFeCo，形成双层薄膜，材料的矫顽力明显提高。本发明可提高光磁混合存储材料矫顽力，有助于进一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向异性，从而提高材料的热稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN1975892A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610147249.0 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 周仕明;焦新兵;徐振 |
| 分类号 | G11B11/10(2006.01);G11B5/66(2006.01);G11B5/851(2006.01) | 主分类号 | G11B11/10(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种光磁混合存储材料，其特征在于以玻璃为衬底，其上经射频磁控溅射有一层缓冲层MgO，厚度为0.4-2nm；在该缓冲层上还磁控溅射有一层光磁混合存储材料TbFeCo，厚度为630nm。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||