| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildung einer Justiermarke eines Halbleiterbauelements. DOLLAR A Das Verfahren umfasst das Bilden einer Isolationsschicht (241), die einen aktiven Bereich in einem Chipbereich (201) eines Halbleitersubstrats (200) begrenzt, und das Bilden einer Justiermarke (254) mit einer Stufenhöhendifferenz bezüglich einer Oberfläche des Halbleitersubstrats in einer Anrissspur (205), das Bilden von wenigstens einer Elementbildungsschicht zum Bilden eines Elements auf dem Substrat oder auf der wenigstens einen Elementbildungsschicht und das Umwandeln der wenigstens einen Elementbildungsschicht, um eine elementbildende Struktur (251) auf dem Halbleitersubstrat in dem Chipbereich zu bilden und eine Deckschicht (255) zu bilden, welche die Justiermarke auf dem Halbleitersubstrat in der Anrissspur bedeckt. DOLLAR A Verwendung z.B. in der LCD-Halbleiterbauelementtechnologie. |
