低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法

摘要

本发明披露了一种低衰减光纤及其在MCVD中的制造方法，所述光纤为低衰减单模光纤，所述光纤具有光电导芯和包层，并且在MFD(模场直径)区内显示出非常低的OH浓度。所述光纤包括配置在其中心用于光电导的芯，和依次被覆于所述芯上的脱水包层和基体包层。脱水包层的折射率与基体包层的折射率基本相同。芯的折射率比脱水包层和基体包层的折射率大。脱水包层与基体包层相比具有相对较低的OH浓度。由芯和脱水包层构成的区域具有OH浓度小于0.8ppb的MFD区。

主权项

1.一种采用MCVD(改进化学气相沉积)的光纤预型体的制造方法，所述方法包括：(a)通过在石英管的内壁上沉积包含SiO2和GeO2的烟炱而形成至少一个基体包层并在高温下加热沉积有所述烟炱的所述石英管；(b)通过将下述步骤重复至少一次形成至少一个具有与所述基体包层的折射率基本相同的折射率的脱水包层：-累积步骤，所述步骤用于将烟炱形成性气体与载气一同引入所述石英管中并将所述石英管的内部加热至1000℃～1400℃的温度以生成包含SiO2和GeO2的烟炱，然后使所述烟炱累积在所述基体包层上；-脱水步骤，所述步骤用于将脱水性气体引入所述石英管中并将所述石英管的内部加热至600℃～1200℃的温度以除去所述烟炱和石英管中的羟基(OH)和水分；和-烧结步骤，所述步骤用于在高于1700℃的温度加热沉积有所述烟炱的所述石英管的内部以使所述烟炱烧结并玻璃化，(c)通过将下述步骤重复至少一次而在所述包层上形成至少一个具有相对较高折射率的芯层：-累积步骤，所述步骤用于将烟炱形成性气体与载气一同引入所述石英管中并将所述石英管的内部加热至1000℃～1400℃的温度以生成烟炱，然后使所述烟炱累积在所述脱水包层上；-脱水步骤，所述步骤用于将脱水性气体引入所述石英管中并将所述石英管的内部加热至600℃～1200℃的温度以除去所述烟炱和石英管中的羟基(OH)和水分；和-烧结步骤，所述步骤用于在高于1700℃的温度加热沉积有所述烟炱的所述石英管的内部以使所述烟炱烧结并玻璃化。