形成隔离层的方法和鳍片场效应晶体管

摘要

本发明提供了一些方法，用于形成用于第一结构(24、124)如FinFET的栅极结构的隔离层(44)，并在第二结构(14)如鳍片的至多一部分上形成隔离层而不会有害地改变第二结构。该方法产生具有悬垂于导电下部分(32、132)之上的顶部分(30、130)的第一结构(24)，和悬垂物(40、140)之下的隔离层(44)。可以在隔离层工艺之后除去悬垂物(40、140)。对于FinFET，悬垂物保护鳍片(14)的部分如邻近并在栅极结构(24、124)之下的区域，并允许将鳍片(14)的侧壁暴露于如选择性硅生长和注入的其它工艺。结果，该方法提供鳍片(14)的按尺寸制造和栅极结构(24、124)和隔离层的形成而在隔离层工艺期间不会有害地改变(例如，侵蚀或在其上形成隔离层)鳍片(14)。同样公开了包括栅极结构(24、124)和隔离层(44)的FinFET(100)。

主权项

权利要求书1.一种用于形成用于第一结构(24、124)的隔离层(44)并在第二结构(14)的至多一部分上形成隔离层的方法，该方法包括以下步骤：淀积第一材料(20)；在所述第一材料上形成第二材料(22、122)；利用所述第一和第二材料形成所述第一结构；使所述第二材料悬垂于所述第一材料之上以形成悬垂物(40，140)；以及在所述悬垂物之下形成隔离层(44)。