| 发明名称 | 一种栅极介电层与改善其电性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种改善栅极介电层的电性的方法，其中包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一栅极介电层于上述半导体基底表面，其中上述栅极介电层包括氧化铪(HfO<SUB>2</SUB>)；实施一含氢气体处理；以及实施一含氧气体处理。一种具有高介电常数的栅极介电层的金氧半晶体管，其中包括：一半导体基底；一高介电常数的栅极介电层，设置于上述半导体基底表面。本发明主要目的在于提供一种新材质的栅极介电层以及一种改善栅极介电层的电性的方法，不仅提供良好的栅极介电层，更可使该栅极介电层符合半导体组件设计上的需求。 | ||
| 申请公布号 | CN1320606C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN03105065.4 | 申请日期 | 2003.03.04 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林友民;麦凯玲;姚亮吉;陈世昌 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/4757(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 权利要求书1、一种改善栅极介电层的电性的方法，其特征在于包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一栅极介电层于上述半导体基底表面，其中上述栅极介电层包括氧化铪；实施一含氢气体处理；然后实施一含氧气体环境下的退火，以抑制氧化硅气体的释出。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||