| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体基衬(1)，其上形成电路元件和多个连接盘(2，2A，2B)；第一柱状电极(6)，电连接到所述多个连接盘中的至少一个第一连接盘(2)上而形成；至少一个第一导电层(5-1)，连接到所述多个连接盘中的至少一个第二连接盘(2A)上而形成；封装膜(7)，由树脂制成，并形成在所述半导体基衬上的至少所述第一柱状电极周围及所述第一导电层上；至少一个第二导电层(5-2，8，12)，形成在封装膜上，面对所述第一导电层，并被设置为向外暴露；和至少一个无源元件，由所述第一和第二导电层形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1320646C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN02105749.4 | 申请日期 | 2002.04.16 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社;冲电气工业株式会社 | 发明人 | 青木由隆 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王敬波 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基衬(1)，其上形成电路元件和多个连接盘(2，2A，2B)，第一柱状电极(6)，电连接到所述多个连接盘中的至少一个第一连接盘(2)上而形成；至少一个第一导电层(5-1)，连接到所述多个连接盘中的至少一个第二连接盘(2A)上而形成；封装膜(7)，由树脂制成，并形成在所述半导体基衬上的至少所述第一柱状电极周围及所述第一导电层上；至少一个第二导电层(5-2，8，12)，形成在封装膜上，面对所述第一导电层，并被设置为向外暴露；和至少一个无源元件，由所述第一和第二导电层形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||