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发明名称 STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY FOR ERASING FLASH BLOCK FORMED ON SOI SUBSTRATE USING BACK-BIAS, ERASING METHOD THEREOF AND FLASH MEMORY THEREOF
摘要
申请公布号 KR100725112(B1) 申请公布日期 2007.06.04
申请号 KR20050035142 申请日期 2005.04.27
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L27/12 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
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