METHOD FOR FORMING SOURCE/DRAIN ISOLATED BY SILICON OXIDE,申请号KR20020083701-传众专利搜索

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发明名称	METHOD FOR FORMING SOURCE/DRAIN ISOLATED BY SILICON OXIDE
摘要
申请公布号	KR100724473(B1)	申请公布日期	2007.06.04
申请号	KR20020083701	申请日期	2002.12.24
申请人		发明人
分类号	H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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