发明名称 | 包含埋藏快闪记忆体的记忆体结构之系统及方法 | ||
摘要 | 一种结合多个嵌入式快闪记忆体的一记忆体结构。这些快闪记忆体可以用于如错误校正细胞或备用记忆体或额外记忆体细胞。一种实施例来说,快闪记忆体细胞堆叠在快闪记忆体细胞的顶部,且这些快闪记忆体细胞共用一闸极层。另一种实施例来说,这些对堆叠的快闪记忆体细胞互相堆叠,且每一对以一绝缘氧化层绝缘。另一种实施例来说,这些对堆叠的快闪记忆体细胞以未绝缘的配置互相堆叠。 | ||
申请公布号 | TW200721509 | 申请公布日期 | 2007.06.01 |
申请号 | TW094141600 | 申请日期 | 2005.11.25 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴昭谊 |
分类号 | H01L29/788(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |