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发明名称
用于光电制程之微转印印章的制造方法
摘要
本发明揭示了一种用于光电制程之微转印印章的制造方法,首先提供一具有复数个凹槽之模版与一基材。其次,进行一填料程序以填充一树脂于复数个该凹槽内,其中,树脂包含热硬化树脂或光硬化树脂。然后,进行一密合程序以密合该模版与该基材,并使得填充于该模版之该树脂直接接触该基材。接着,进行一固化制程以固化复数个该凹槽内之该树脂并形成复数个凸起图形,且使得复数个该凹槽内之该树脂于该固化制程中贴合该基材。最后,进行一脱模程序以移除该模版并形成一具有复数个该凸起图形的微转印印章。
申请公布号
TW200720091
申请公布日期
2007.06.01
申请号
TW094142096
申请日期
2005.11.30
申请人
国立台湾大学
发明人
谢国煌;杨申语;黄荣山;刘士荣;张致远
分类号
B41F17/00(2006.01)
主分类号
B41F17/00(2006.01)
代理机构
代理人
陈俊宏
主权项
地址
台北市大安区罗斯福路4段1号
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