| 摘要 |
本发明提供单层复晶矽P通道非挥发性记忆体的操作方法，该单层复晶矽P通道非挥发性记忆体包含有一N型井；一闸极，设于该N型井上；一闸极介电层，介于该闸极与该N型井之间；一ONO侧壁子，设于该闸极之一侧壁上，其中该ONO侧壁子包含有一第一矽氧层，设于该侧壁上，并延伸至该N型井上，以及一氮化矽层，用来作为一电荷捕陷层，设于该第一矽氧层上；一P+汲极掺杂区，设于该ONO侧壁子一侧的该N型井中，使其N型掺杂区与P型掺杂区交界在该ONO侧壁子下方；及一P+源极掺杂区，相对于该P+汲极掺杂区，设于该ONO侧壁子另一侧的该N型井中。 |
