| 摘要 |
本发明揭示一种侧边扩散金属氧化物半导体装置，其包括一具有一第一导电类型之基板以及一于其上并具有一上表面之轻度掺杂磊晶层。该第一导电类型之源极与汲极区域系连同一于其间形成之第二导电类型之通道区域而形成于该磊晶层中。一导电闸极形成于一闸极介电层上。一汲极接点使该汲极区域电连接至该基板，其包括：一第一沟渠，该沟渠从该磊晶层之上表面形成至该基板，且具有一沿该磊晶层之侧壁；一沿该第一沟渠侧壁而形成之第一导电类型的高度掺杂区域；以及一位于邻接该高度掺杂区域之该第一沟渠中的汲极插塞。设置一源极接点，且于该导电闸极与该源极接点间形成一绝缘层。 |
