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发明名称
具进阶更新控制之半导体记忆装置
摘要
本发明揭示一种具有复数个记忆库的半导体记忆装置,其按顺序对每个记忆库执行一更新操作以决定该等记忆库之全部或部分是否需要该更新操作。该半导体记忆装置包含包括每个记忆库之一更新资讯的一扩展模式暂存器集;与用于支持按顺序对每个记忆库执行的一更新操作以回应每个记忆库之该更新资讯的一记忆库更新区块。
申请公布号
TW200721164
申请公布日期
2007.06.01
申请号
TW095136277
申请日期
2006.09.29
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
金志烈
分类号
G11C11/402(2006.01)
主分类号
G11C11/402(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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