发明名称 经硬化以抗单一事件倒转之冗余电路
摘要 本发明提供一种决策区块,其并入一电路设计中以提供硬化以抗单一事件倒转并储存资料。该决策区块包括一储存元件,其在该决策区块之输入保持恒定时储存资料。该决策区块自冗余逻辑区块或自经设计以提供互补输出之逻辑区块接收一第一资料输入及第二资料输入。若该两个资料输入在正常操作条件期间(意即,无干扰)处于所期望之逻辑位准,则该决策区块提供一与该第一资料输入处于一相同逻辑位准的输出。若该两个资料输入在正常操作条件期间并不处于所期望之逻辑位准,则该决策区块提供一与该决策区块之一先前输出处于一相同逻辑位准的输出。
申请公布号 TW200721675 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095132402 申请日期 2006.09.01
申请人 哈尼威尔国际公司 发明人 大卫E 芙克森
分类号 H03K19/003(2006.01) 主分类号 H03K19/003(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国