氮氧化矽膜之形成方法及形成装置

摘要

本发明揭示一种氮氧化矽膜之形成方法及形成装置。在配置成选择性地供应有含一氯矽烷系气体的一第一制程气体、含一氧化气体的一第二制程气体及含一氮化气体的一第三制程气体的一制程场中，藉由CVD而在一目标基板上形成一氮氧化矽膜。该方法交替地包括第一至第六步骤。该等第一、第三及第五步骤分别执行该第一、第二及第三制程气体之供应，同时停止其他两制程气体之供应。该等第二、第四及第六步骤中的各步骤停止该等第一至第三制程气体之供应。该等第三与第五步骤包括将该等第二与第三制程气体分别供应至该制程场同时藉由一激发机制来激发该等个别制程气体之一激发期间。