经矽化物化内嵌之矽

摘要

本发明提供用于使内嵌矽完全矽化物化之方法及结构。将矽提供于一沟槽内。于矽上提供金属混合物，其中该等金属中之一在矽中比矽在该金属中更容易扩散，且该等金属中之另一者在矽中不如矽在该金属中容易扩散。示范性混合物包括80％之镍及20％之钴。尽管该沟槽之纵横比相对较高，但允许沟槽内之矽完全矽化物化而不形成空隙。尤其可藉由该方法形成内嵌存取装置(RAD)用于记忆体阵列。