记忆体电路形成方法

摘要

本发明包括形成记忆体电路之方法。在一实施例中，提供一基板，其具有一记忆体阵列电路区域及一周边电路区域。该记忆体阵列电路区域包含具有一第一最小线间隔之电晶体闸极线。该周边电路区域包含具有一大于该第一最小线间隔之第二最小线间隔之电晶体闸极线。在于记忆体阵列区域内之个别该等电晶体闸极线的相反侧壁上形成经各向异性蚀刻之绝缘侧壁间隔片之前，在该周边电路区域内之个别该等电晶体闸极线的相反侧壁上形成经各向异性蚀刻之绝缘侧壁间隔片。本发明涵盖其他态样及实施例。