掺杂氮化矽薄膜之低温沉积方法及装置

摘要

本发明揭示一种掺杂氮化矽薄膜的低温沉积方法及装置。所改善者包含CVD反应室的机械设计(其可以提供低温制程均匀的热分布和制程化学品的均匀分布)，以及在一基材上沉积至少一层含有矽和氮的沉积层之方法，其中该方法系藉由加热一基材、通入一含矽前驱物至一制程反应室(其具有由一接合环和一或多个阻断板及一排气系统界定的混合区)中、加热该接合环及一部分的排气系统、通入一或多种的氢、锗、硼、或含碳前驱物至该制程反应室内、以及选择性地通入一含氮前驱物至该制程反应室内。