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发明名称
凸块下金属层上形成凸块之结构及其制造方法
摘要
本发明系关一种于凸块下金属层上形成凸块之结构及其制造方法。该结构包括一晶圆、一凸块下金属层、一第二光阻层及一凸块。该晶圆具有复数个焊垫及一保护层履盖于该晶圆表上并显露部分之该等焊垫。该凸块下金属层设置于该保护层及该等焊垫上,该凸块下金属层具有一底切结构。该第二光阻层设置于该保护层上,。该凸块设置于设置于该底切结构外之内。藉此,避免在回焊过程中该凸块下金属层被污染,而改善应力集中的问题,以使所植之凸块更加稳定。
申请公布号
TW200721513
申请公布日期
2007.06.01
申请号
TW094140860
申请日期
2005.11.11
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
蔡骐隆;卢婉慧
分类号
H01L31/0203(2006.01)
主分类号
H01L31/0203(2006.01)
代理机构
代理人
蔡东贤;林志育
主权项
地址
高雄市楠梓加工区经三路26号
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