双镶嵌制程

摘要

本发明提供一种部分介层洞优先双镶嵌制程。首先提供一基材，其上具有一底层、一形成在该底层中的下层铜导线以及一覆盖该下层铜导线以及该底层的盖层；接着于该盖层上沈积一介电层；接着于该介电层上沈积一TEOS矽氧层，且该TEOS矽氧层具有一浓度低于1×1019 atoms/cm3的碳含量；接着于该TEOS矽氧层上形成一金属硬遮罩；于该金属硬遮罩以及该TEOS矽氧层中蚀刻出一沟渠凹口；接着经由该沟渠凹口，于该TEOS矽氧层中以及该介电层中蚀刻出一部分介层洞开口；最后将该沟渠凹口以及该部分介层洞开口以蚀刻方式转移至该介电层中，藉此形成一双镶嵌开口，并且暴露出该下层铜导线。