| 摘要 |
本发明提供一种用于程式化包含记忆体单元(201)之阵列之非挥发性记忆体阵列(102)之方法，其中各记忆体单元(201)包含基板(315)、控制闸极(328)、具有至少二个电荷储存区(432、433)以用于储存至少二个独立的电荷之电荷储存元件(322)、源极区域(203)和汲极区域(202)。该方法包含指定至少一个记忆体单元作为高速记忆体单元(802)以及藉由设置该至少二个电荷储存区(432、433)之其中第一者成为程式化状态(804)而预先调整(pre-condition)高速记忆体单元(201)之状况，并接着用远较高的速率致能第二区上的程式化。 |
