发明名称 | 低介电常数蚀刻后之无损害灰化制程及系统 | ||
摘要 | 一种蚀刻低介电常数(low-k)层中之特征部后的基板灰化处理。该low-k层可包含超low-k材料或多孔low-k材料。该处理可用以移除蚀刻副产物同时保持特征部之关键尺寸。该灰化处理包含使用含氮及含氢化学品,并使用包含氧之钝化化学品,如O2、CO或CO2或其任何组合。 | ||
申请公布号 | TW200721300 | 申请公布日期 | 2007.06.01 |
申请号 | TW095128131 | 申请日期 | 2006.08.01 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 西野雅;道格拉斯M 崔克特 |
分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |