发明名称 低介电常数蚀刻后之无损害灰化制程及系统
摘要 一种蚀刻低介电常数(low-k)层中之特征部后的基板灰化处理。该low-k层可包含超low-k材料或多孔low-k材料。该处理可用以移除蚀刻副产物同时保持特征部之关键尺寸。该灰化处理包含使用含氮及含氢化学品,并使用包含氧之钝化化学品,如O2、CO或CO2或其任何组合。
申请公布号 TW200721300 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095128131 申请日期 2006.08.01
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 西野雅;道格拉斯M 崔克特
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本