发明名称 在半导体记忆体设备内产生参考电压之设备
摘要 本发明揭示一种用于在一半导体记忆体设备内产生一参考电压之设备,其包含:一第一电压产生单元,其系产生与温度成正比之一电压;一第二电压产生单元,其系产生与温度成反比之一电压;以及一参考电压产生单元,其系基于一控制信号调整该第一电压产生单元或该第二电压产生单元内之电流量,并且不论温度变化输出一恒定参考电压。该设备不论温度变化及元件间误配而可产生一恒定参考电压。如此,本发明可将使用该设备的系统之效能与可靠度可改善至最高。
申请公布号 TW200721165 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095142100 申请日期 2006.11.14
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 李基源
分类号 G11C11/4074(2006.01) 主分类号 G11C11/4074(2006.01)
代理机构 代理人 罗行;赖安国
主权项
地址 韩国