具有多层缓冲层结构之氮化物型半导体元件及其制造方法

摘要

一种氮化物型半导体元件之多层缓冲层结构，该缓冲层结构包含由高温下成长的AlxInyGa1-x-yN所形成之第一层；以及由低温下成长的未掺杂或适当地掺杂之GaN型材料所形成之第二层。在由GaN型材料所形成之第二层中，可掺杂Al或In；或是共掺杂下列元素组中之一者：Al/In、Si/In、Si/Al、Mg/In、Mg/Al、Si/Al/In、及Mg/Al/In。于另一实施例中，该缓冲层结构包含GaN晶核层、AlInN薄层、GaN型主层、以及GaN型薄层，其中GaN晶核层系于高温下成长，而其他层系于较低温下成长。