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经营范围
发明名称
半导体装置支撑结构
摘要
揭示一种半导体装置支撑结构及其制造方法。在一些具体实施例,该支撑结构包含以基本上环状形状于打线接合区域下方形成的复数个支撑组件,在该复数个支撑组件的该基本上环状形状内的区域可用于路由功能传导线路以制造至该半导体装置主动区域的电接触。虚拟支撑结构可于该功能传导线路之间选择性地形成,该支撑结构可于半导体装置的一或更多传导线路层及半导体材料层中形成。在其他具体实施例,支撑组件不以环状形状形成,且于不包含低介电常数(k)材料的绝缘层中形成。
申请公布号
TW200721365
申请公布日期
2007.06.01
申请号
TW095137456
申请日期
2006.10.11
申请人
英飞凌科技股份有限公司
发明人
托玛斯戈贝尔;艾尔登卡尔塔里欧格鲁;金善欧
分类号
H01L21/683(2006.01)
主分类号
H01L21/683(2006.01)
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
德国
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