发明名称 电流控制矽互补金属氧化物半导体宽带资料放大器电路
摘要 本发明涉及一种用于减小差分和共模反射的电流控制CMOS(C3MOS)宽带输入资料放大器。本发明公开了一种新的解决方案,通过该方案可以在介面处获得更好的阻抗匹配和扩展带宽、以提高高频增益,所述介面是应用于通信设备之中的矽片与封装和/或电路板之间的介面。恰当选择的阻抗使差分和共模阻抗显着较小,同时增加较高频段的增益。所述新的解决方案可以在使用相对较小的线和元件的同时避免使用小的线和元件时的反射增强的不良影响。通过允许使用这些小的线和元件,在提供良好的反射和频率相应特性的同时,能量消耗和整个设备尺寸也将显着减小。
申请公布号 TW200721663 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095127713 申请日期 2006.07.28
申请人 博通公司 发明人 曹军
分类号 H03F3/193(2006.01) 主分类号 H03F3/193(2006.01)
代理机构 代理人 潘海涛
主权项
地址 美国