发明名称 能够增加发光效率之发光二极体封装结构
摘要 一种能够增加发光效率之发光二极体封装结构,包括:基材单元、及复数个萤光胶体单元、发光二极体单元、导电单元及不透光单元。基材单元系具有一本体及复数个穿透该本体之穿孔;每一个萤光胶体单元系容置于该等相对应之穿孔内,并且具有一安装表面;每一个发光二极体单元系以其发光表面面向相对应之安装表面而设置于该相对应之萤光胶体单元上;每一个导电单元系电性连接每一个发光二极体单元该本体两者之具相同极性之电极区域;以及,每一个不透光单元系设置于该本体上,以包覆相对应之萤光胶体单元之安装表面、发光二极体单元及导电单元。
申请公布号 TWM313312 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095211765 申请日期 2006.07.04
申请人 宏齐科技股份有限公司 发明人 汪秉龙;庄峰辉;洪基纹
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;谢宗颖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种能够增加发光效率之发光二极体封装结构, 其包括: 一基材单元,其具有一本体、及复数个穿透该本体 之穿孔; 复数个萤光胶体单元,其中每一个萤光胶体单元系 容置于该等相对应之穿孔内,并且每一个萤光胶体 单元系具有一安装表面; 复数个发光二极体单元,其中每一个发光二极体单 元系具有一发光表面,并且每一个发光二极体单元 系以其发光表面面向相对应之安装表面而设置于 该相对应之萤光胶体单元上; 复数个导电单元,其中每一个导电单元系分别电性 连接于每一个发光二极体单元与该本体两者间之 具相同极性之电极区域;以及 复数个不透光单元,其中每一个不透光单元系设置 于该本体上,以包覆相对应之萤光胶体单元之安装 表面、发光二极体单元、及导电单元。 2.如申请专利范围第1项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,更进一步包括:复数个与 该等发光二极体单元相对应之聚光单元,其中每一 个聚光单元系具有二个不透光块体,其分别设置于 相对应之发光二极体单元的相对面之本体的二侧 面,以聚集该相对应发光二极体单元从该相对应萤 光胶体单元所射出之光源。 3.如申请专利范围第1项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,其中该本体系具有复数对 导角部(Lead angle),并且每一对导角部(Lead angle)系设 置于相对应之发光二极体单元的相对面之本体的 两侧缘,以聚集该相对应发光二极体单元从该相对 应萤光胶体单元所射出之光源。 4.如申请专利范围第1项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,其中该等穿孔系藉由蚀刻 (etching)或冲压(punch)的方式穿透形成于该本体内。 5.如申请专利范围第1项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,其中该等萤光胶体单元系 以压模(die mold)、印刷(printing)或射出成型(injection molding)的方式容置于该等相对应之穿孔内。 6.如申请专利范围第1项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,其中每一个发光二极体单 元之正、负电极区域系分别藉由该等导电单元中 之两个导电单元与该本体之两相对应正、负电极 区域产生电性连接,其中该本体之两相对应正、负 电极区域系设置于该相对应发光二极体单元的两 旁之两侧面上。 7.如申请专利范围第1项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,更进一步包括:复数个防 静电单元,其中每一个防静电单元系设置于该相对 应发光二极体单元的其中一侧边之本体上。 8.如申请专利范围第7项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,其中每一个防静电单元之 正、负电极区域系分别藉由该等导电单元中之两 个导电单元与该本体之两相对应负、正电极区域 产生电性连接,其中该本体之两相对应负、正电极 区域系设置于该相对应发光二极体单元的两旁之 两侧面上。 9.如申请专利范围第8项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,其中该防静电单元之正、 负电极区域皆设置于每一个防静电单元之上端面 。 10.如申请专利范围第7项所述之能够增加发光效率 之发光二极体封装结构,其中每一个防静电单元之 正、负电极区域系选择地直接或藉由该等导电单 元中之导电单元与该本体之两相对应负、正电极 区域产生电性连接,其中该本体之两相对应负、正 电极区域系设置于该相对应发光二极体单元的两 旁之两侧面上。 11.如申请专利范围第10项所述之能够增加发光效 率之发光二极体封装结构,其中该防静电单元之正 、负电极区域系分别设置于每一个防静电单元之 下、上两端面,以使每一个防静电单元之下端面的 电极区域与该本体之相反电极区域直接产生电性 连接。 图式简单说明: 第一图系为习知以打线(wire-bonding)制程制作之能 够增加发光效率之发光二极体封装结构之剖面示 意图; 第二图系为习知以覆晶封装(Flip-chip)制程制作之 能够增加发光效率之发光二极体封装结构之剖面 示意图; 第三图系为本创作能够增加发光效率之发光二极 体封装结构之第一实施例之剖面示意图; 第四图系为本创作能够增加发光效率之发光二极 体封装结构之第二实施例之剖面示意图; 第五图系为本创作能够增加发光效率之发光二极 体封装结构之第三实施例之剖面示意图; 第六图系为本创作能够增加发光效率之发光二极 体封装结构之第四实施例之剖面示意图; 第七图系为本创作能够增加发光效率之发光二极 体封装结构的封装方法之第一实施例之流程图; 第八A图至第八D图系分别为本创作能够增加发光 效率之发光二极体封装结构的封装方法之第一实 施例之立体示意图; 第九图系为本创作能够增加发光效率之发光二极 体封装结构的封装方法之第二实施例之流程图; 第十图系为本创作能够增加发光效率之发光二极 体封装结构的封装方法之第三实施例之流程图;以 及 第十一图系为本创作能够增加发光效率之发光二 极体封装结构的封装方法之第四实施例之流程图 。
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