| 主权项 |
1.一种真空腔之改良设计,其中包括: 一制程室; 一承载装置,设置于该制程室内; 一晶圆载盘,设置于该承载装置上,且具有一环状 凹槽;以及 一绕环,系选择性设置于该环状凹槽中。 2.如申请专利范围第1项所述之真空腔之改良设计, 其中该制程室系一晶圆蚀刻制程室或一晶圆沉积 制程室。 3.如申请专利范围第1项所述之真空腔之改良设计, 其中该承载装置系移动该晶圆载盘于一制程定位 与一移载定位之间。 4.如申请专利范围第1项所述之真空腔之改良设计, 其中该环状凹槽为一封闭环状之凹槽。 5.如申请专利范围第4项所述之真空腔之改良设计, 其中当进行一晶圆蚀刻制程时,该绕环系设置于该 环状凹槽中。 6.如申请专利范围第1项所述之真空腔之改良设计, 其中该绕环具有一基部与一凸出部,该基部为可与 该环状凹槽组配之封闭环状几何外型。 7.如申请专利范围第6项所述之真空腔之改良设计, 其中该凸出部之内侧包括一内缩斜面,具有晶圆定 位之功能。 8.如申请专利范围第7项所述之真空腔之改良设计, 其中该内缩斜面与垂直线间的夹角在30度与60度之 间。 9.如申请专利范围第1项所述之真空腔之改良设计, 其中该绕环采用氩溅镀(Ar Sputter)制程不易受损之 材质。 10.如申请专利范围第1项所述之真空腔之改良设计 ,其中该晶圆载盘具有复数个环状凹槽,并有对应 数目之绕环选择性设置于该等环状凹槽中。 图式简单说明: 第1A图系显示习知真空腔示意图; 第1B图系显示另一习知真空腔示意图; 第2A图系真空腔之改良设计前视图; 第2B图系真空腔之改良设计上视图; 第3A图系绕环前视图; 第3B图系绕环上视图。 |
