| 主权项 |
1.一种记忆卡成型结构改良(三),包括: 一电路基板,其上表面设有一电路层,下表面设有 复数个电性接点,且该上、下表面各设至少一接地 部; 一记忆体晶片,其位在该电路层上并与该电路层电 性连接; 一绝缘层,其包覆该记忆体晶片与该电路层;及 一导电胶体,其包覆该电路基板上表面与该绝缘层 而露出位在该电路基板下表面的该等电性接点与 该接地部,并与露出的该接地部接触。 2.如申请专利范围第1项所述之记忆卡成型结构改 良(三),其中该导电性胶体系包括环氧树脂、金属 粉末与二氧化矽。 3.如申请专利范围第1项所述之记忆卡成型结构改 良(三),其中该记忆体晶片与该电路层系利用打线 或覆晶方式形成电性连接。 4.如申请专利范围第1项所述之记忆卡成型结构改 良(三),更包括一控制晶片及复数个电子元件位在 该电路层上与该电路层电性连接,且该控制晶片与 该等电子元件并受该绝缘层所包覆。 5.如申请专利范围第4项所述之记忆卡成型结构改 良(三),其中该等电子元件系选自电阻、电容、电 感或变压器。 6.如申请专利范围第4项所述之记忆卡成型结构改 良(三),其中该控制晶片与该电路层系利用打线或 覆晶方式形成电性连接。 7.如申请专利范围第1项所述之记忆卡成型结构改 良(三),其中该电路基板内设有复数个导电线路,以 供该电路层电性连接至该等电性接点。 8.如申请专利范围第1项所述之记忆卡成型结构改 良(三),该导电胶体系藉由一模具从该电路基板之 至少一侧面提供至少一进胶口进胶完成该导电胶 体,再切割该导电胶体外表面所残留的该进胶口痕 迹。 图式简单说明: 第一图系习知之记忆卡成型结构剖面示意图。 第二图系本创作之外观示意图。 第三图系本创作之结构剖面示意图。 第四A与第四B图系本创作形成绝缘层结构示意图 。 第四C图本创作形成导电胶体结构示意图。 第五图系本创作之一模具示意图。 第六图系本创作之另一模具示意图。 |
