| 主权项 |
1.一种用以执行费雪-阙布希合成之方法,系使用界 定适合于费雪-阙布希合成反应之通道(14, 14a)(其 中有透气性触媒结构(16))之至少一个小型催化反 应器单元(10),其特征在于:含一氧化碳之气体以至 少两个连续阶段进行费雪-阙布希合成,第一阶段 中之气体流动速度系充分的高以致不超过70%的一 氧化碳在第一阶段中进行合成反应,各气体系在连 续阶段间被冷却(25)以便冷凝水蒸汽,且第二阶段 中之气体流动速度系充分的高以致不超过70%的其 余一氧化碳在第二阶段中进行合成反应。 2.如申请专利范围第1项之方法,其系使用单一反应 器单元(10)来执行,其中合成反应的各阶段系在该 反应器单元内之一组通道(14, 14a)内发生,及在连续 阶段间,将气体在集管箱(18)中冷却(25)。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中在第一阶段中 含一氧化碳之气流系流经并联之数个第一通道(14, 14a),然后在第二阶段中通过并联之数个第二通道( 14, 14a),该数第二通道(14, 14a)的剖面积系小于该数 个第一通道(14, 14a)之剖面积。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中在第一阶段中 含一氧化碳之气流系流经并联之数个第一通道(14, 14a),然后在第二阶段中通过并联之数个第二通道( 14, 14a),该数个第二通道(14, 14a)的剖面积系小于该 数个第一通道(14, 14a)之剖面积。 5.如申请专利范围第3或4项之方法,其中第二通道( 14, 14a)的数目系少于第一通道(14, 14a)的数目。 6.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中 在第一阶段和第二阶段两者中,空间速度是每小时 高于1000。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中在第一阶段和 第二阶段两者中,空间速度是每小时不大于15000。 8.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中 水蒸汽系不超过20莫耳%。 9.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中 通过第一阶段和第二阶段两者之气体流动速度系 充分的高以致不超过65%的一氧化碳进行合成反应 。 10.一种对含氢和一氧化碳的气体执行费雪-阙布希 合成之方法,系使用界定适合于费雪-阙布希合成 之通道(14, 14a)(其中有透气性触媒结构(16))之至少 一个小型催化反应器单元(10),其中合成系以至少 两个连续阶段在充分高之气体流动速度下进行,以 致水蒸汽不超过20莫耳%,及在连续阶段间,将气体 冷却(25)以便冷凝水蒸汽。 11.一种用执行如申请专利范围第1至10项中任一项 之费雪-阙布希合成之装置,包括界定适合于费雪- 阙布希合成反应之通道(14, 14a)(其中有透气性触媒 结构(16))之至少一个小型催化反应器单元(10);在连 续组通道(14, 14a)之间连系的连接装置(18);及在该 连接装置内的冷却装置(25),以便冷凝水蒸汽并移 除来自气流中之已冷凝液体。 12.如申请专利范围第11项之装置,其中该连续组通 道(14, 14a)系在相同反应器单元(10)中,而连接装置( 18)是集管箱。 13.如申请专利范围第11或12项之装置,其中运送流 体出连接装置(18)之流动通道(14, 14a)的剖面积系小 于运送流体入连接装置(18)中之流动通道(14, 14a)的 剖面积。 14.如申请专利范围第11或12项之装置,其中运送流 体出连接装置(18)之流动通道(14, 14a)的数目系少于 运送流体入连接装置(18)中之流动通道(14, 14a)的数 目。 15.如申请专利范围第11或12项之装置,其亦包括用 于确保各合成通道(14, 14a)中之温度不超过210℃的 装置(14b)。 图式简单说明: 第1图显示:适合于执行费雪-阙布希合成之反应器 的剖视图,显示所设计的板;及 第2图显示第1图的反应器的修饰例。 |
