| 主权项 |
1.一种用于发送信号之装置,包含: 至少一个导体, 耦接至该至少一个导体来由该至少一个导体接收 一信号之一接收元件,以及 一发送元件,其具有耦接至该至少一个导体之至少 一个驱动器电路,用来发送由该发送元件所提供之 资料之二进制位元作为一信号,跨该导体发送该信 号至该接收元件,其中若资料之一目前二进制位元 値系与资料之前一个二进制位元値不同,则该至少 一个驱动器电路系以一第一驱动强度发送一第一 电压位准;以及其中若该资料之目前二进制位元値 系与资料之前一个二进制位元値相同,则该至少一 个驱动器电路系以低于该第一驱动强度之较低驱 动强度之一第二驱动强度,发送该第一电压位准。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该至少一个导 体为包含一滙流排之多数导体之一,二进制资料系 由该发送元件跨越该滙流排而被发送至该接收元 件。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该等多数导体 中之各个导体系包含印刷电路板之一传导线迹。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中该发送元件系 包含一记忆体控制器,以及其中该接收元件为用以 储存资料之一记忆体元件。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该至少一个驱 动器电路系包含一控制器,该控制器用来监测由该 发送元件所提供之该等资料二进制位元,是否发生 欲藉该至少一个驱动器电路所发送之二连续二进 制位元具有相同数値。 6.如申请专利范围第5项之装置,其中该控制器系包 含一储存元件,用来储存资料之前一个二进制位元 値,来辅助与资料之目前二进制位元値作比较,来 判定是否以该第一驱动强度或该第二驱动强度驱 动该第一电压位准。 7.如申请专利范围第5项之装置,其中该控制器包含 一计时装置,其系响应于二相邻二进制资料位元间 出现数値变化,使该第一电压位准以该第一驱动强 度驱动一段预定时间周期,以及然后于该段预定时 间周期经过后,使该第一电压位准以该第二驱动强 度驱动。 8.一种用于发送信号之方法,包含下列步骤: 循序接收多个二进制位元値,以供由耦接至一导体 之一驱动器电路予以驱动到该导体上; 若一目前二进制位元値系与紧接前一个二进制位 元値不同,则停止驱动表示该紧接前一个二进制位 元値之二电压位准之一至该导体,而以高驱动强度 把表示该目前二进制位元値之该二电压位准中之 另一者驱动至该导体;以及 若该目前二进制位元値系与紧接前一个二进制位 元値相同,则继续以一低驱动强度来驱动表示该紧 接前一个二进制位元値之一电压位准至该导体,来 表示该目前二进制位元値。 9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含储存该 紧接前一个二进制位元値于该驱动器电路内,来与 该目前二进制位元値比较。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中欲发送之二 进制位元値1系以驱动一高电压位准至该导体来表 示,以及欲发送之二进制位元値0系以驱动一低电 压位准至该导体来表示。 11.如申请专利范围第10项之方法,进一步包含: 若该紧接前一个二进制位元値为0而该目前二进制 位元値为1,则停止驱动一低电压位准至该导体,而 以高驱动强度驱动一高电压位准至该导体; 若该紧接前一个二进制位元値与该目前二进制位 元値皆为0,则持续以一低驱动强度驱动一低电压 位准至该导体; 若该紧接前一个二进制位元値为1而该目前二进制 位元値为0,则停止驱动一高电压位准至该导体,而 以高驱动强度驱动一低电压位准至该导体;以及 若该紧接前一个二进制位元値与该目前二进制位 元値皆为1,则持续以一低驱动强度驱动一高电压 位准至该导体。 12.一种用于发送信号之方法,包含下列步骤: 循序接收多个二进制位元値,以藉耦接至一导体之 一驱动器电路来驱动到该导体上; 若一目前二进制位元値系与紧接前一个二进制位 元値不同,则停止驱动表示该紧接前一个二进制位 元値之二电压位准之一至该导体,而以高驱动强度 把表示该目前二进制位元値之该二电压位准中之 另一者驱动至该导体达一段预定时间周期,以及然 后当已经经过该段预定时间周期时降低用来驱动 该二电压位准中之该另一者的驱动强度。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中欲发送之二 进制位元値1系以驱动一高电压位准至该导体来表 示,以及欲发送之二进制位元値0系以驱动一低电 压位准至该导体来表示。 14.如申请专利范围第13项之方法,进一步包含: 若该紧接前一个二进制位元値为0而该目前二进制 位元値为1,则停止驱动一低电压位准至该导体,而 以高驱动强度驱动一高电压位准至该导体达一段 预定时间周期,以及然后降低用来驱动该高电压位 准至该导体之该驱动强度;以及 若该紧接前一个二进制位元値为1而该目前二进制 位元値为0,则停止驱动一高电压位准至该导体,而 以高驱动强度驱动一低电压位准至该导体达该段 预定时间周期,以及然后降低用来驱动该低电压位 准至该导体之该驱动强度。 图式简单说明: 第1a及1b图分别为采用多个驱动器电路之具体例之 方块图及相对应之透视图。 第2图为采用两电压位准中之一者或另一者之驱动 强度去强之具体例之时程图。 第3a、3b及3c图显示采用驱动器电路之不同实作之 具体例。 第4图为其中电压位准被驱动至导体之驱动强度改 变之具体例之流程图。 第5图为采用电脑系统之具体例之方块图。 |
