| 主权项 |
1.一种影像感测器,包括: 一基底; 多数个导电块,设置于该基底上; 一介电层,设置于相邻两导电块之间; 一第一型掺杂层,覆盖于该些导电块及该介电层上 ; 一本徵层(intrinsic layer),设置于该第一型掺杂层上; 以及 一透明电极层,设置于该本徵层上。 2.如申请专利范围第1项所述之影像感测器,更包括 设置于该本徵层及该透明电极层之间的一第二型 掺杂层。 3.如申请专利范围第2项所述之影像感测器,其中该 第一型掺杂层为N型掺杂,该第二型掺杂层为P型掺 杂。 4.如申请专利范围第2项所述之影像感测器,其中该 第一型掺杂层为P型掺杂,该第二型掺杂层为N型掺 杂。 5.如申请专利范围第2项所述之影像感测器,其中该 第二型掺杂层的材料包括非晶矽。 6.如申请专利范围第1项所述之影像感测器,其中该 透明电极层的材料包括铟锡氧化物。 7.如申请专利范围第1项所述之影像感测器,其中该 些导电块的材料包括金属。 8.如申请专利范围第1项所述之影像感测器,其中该 第一型掺杂层与该本徵层的材料包括非晶矽。 9.如申请专利范围第1项所述之影像感测器,其中在 该基底中包括一主动电路。 10.如申请专利范围第9项所述之影像感测器,其中 该主动电路包括一互补式金氧半电晶体。 11.如申请专利范围第9项所述之影像感测器,更包 括设置于该基底与该些导电块之间的一金属内连 线结构,该金属内连线结构电性连接该些导电块与 该主动电路。 12.一种影像感测器的制造方法,包括: 提供一基底; 于该基底上形成一介电层,且该介电层中已形成有 暴露出该基底的多数个开口; 于该介电层上形成一导电层并填满该些开口; 移除开口以外的该导电层,以于各该开口中形成一 导电块; 于该基底上形成一第一型掺杂层,该第一型掺杂层 覆盖该些导电块及该介电层; 于该第一型掺杂层上形成一本徵层;以及 于该本徵层上形成一透明电极层。 13.如申请专利范围第12项所述之影像感测器的制 造方法,更包括于该本徵层及该透明电极层之间形 成一第二型掺杂层。 14.如申请专利范围第13项所述之影像感测器的制 造方法,其中该第二型掺杂层的形成方法包括化学 气相沈积法。 15.如申请专利范围第13项所述之影像感测器的制 造方法,其中该第一型掺杂层为N型掺杂,该第二型 掺杂层为P型掺杂。 16.如申请专利范围第13项所述之影像感测器的制 造方法,其中该第一型掺杂层为P型掺杂,该第二型 掺杂层为N型掺杂。 17.如申请专利范围第12项所述之影像感测器的制 造方法,其中移除开口以外的该导电层的方法包括 化学机械研磨法。 18.如申请专利范围第12项所述之影像感测器的制 造方法,其中该第一型掺杂层的形成方法包括化学 气相沈积法。 19.如申请专利范围第12项所述之影像感测器的制 造方法,其中该本徵层的形成方法包括化学气相沈 积法。 20.如申请专利范围第12项所述之影像感测器的制 造方法,其中该透明电极的形成方法包括物理气相 沈积法。 图式简单说明: 图1所绘示为习知之PIN二极体影像感测器的剖面图 。 图2所绘示为习知之另一种PIN二极体影像感测器的 剖面图。 图3所绘示为习知之又一种PIN二极体影像感测器的 剖面图。 图4A~图4D所绘示为本发明一实施例之影像感测器 的制流程剖面图。 |
