使用表面活化剂及经选择之钌错合物之含钌膜之原子层沈积

摘要

本发明系关于在原子层沈积(ALD)方法中使用表面活化剂于表面上形成含钌膜之方法，且系关于在此等方法中可用作钌前驱体之钌错合物。